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技術(shù)文章/ARTICLE
推送：兩探針電阻率測(cè)試儀的技術(shù)特點(diǎn)#技術(shù)新聞
點(diǎn)擊次數(shù)：6833 發(fā)布時(shí)間：2023/3/7 10:49:51
推送：兩探針電阻率測(cè)試儀的技術(shù)特點(diǎn)#技術(shù)新聞 http://www.app17.com/c101739/products/d11164856.html
參數(shù)規(guī)格
兩探針電阻率測(cè)試儀技術(shù)快訊#臺(tái)風(fēng)
適用于半導(dǎo)體材料企業(yè)、科研、高等院校及實(shí)驗(yàn)室分析半導(dǎo)體材料縱向電阻率；可測(cè)量橫截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，試樣長度與截面尺寸之比應(yīng)不小于3:1；配置測(cè)量平臺(tái)，正反向電流測(cè)量模式；液晶顯示，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，可選購PC軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)和報(bào)表管理；提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二.參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法-方法2直流兩探針法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測(cè)定兩探針法>>
三、參數(shù) 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ測(cè)量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）
5.測(cè)量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測(cè)量平臺(tái)參數(shù)如下：
1）.可測(cè)硅芯、檢驗(yàn)棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）
2）.探針頭探針與試樣接觸位置重復(fù)，無橫向移動(dòng)。
3）.兩探針測(cè)試探針。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探針機(jī)械游率：±0.3%。
4）.探針直徑0.8㎜；探針壓力總6-12N，探針材料：鎢針，
5）.探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標(biāo)配外選購項(xiàng)：a.pc軟件1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件；c.電腦和打印機(jī)
原創(chuàng)作者：寧波瑞柯微智能科技有限公司
ICP備案號(hào)：
浙公網(wǎng)安備：
業(yè)務(wù)2
業(yè)務(wù)4